时间：2025/5/9 18:13:53
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IPD33CN10N G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制程技术制造，适用于各种高效率功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统性能。
该器件通常应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景中。其封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
最大漏源极电压：60V
连续漏极电流：7.4A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
总电容（输入电容）：590pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，满足现代电源设计需求。
3. 高击穿电压保证了器件在高压环境下的可靠性。
4. 小型化封装节省 PCB 空间，适合便携式设备和其他紧凑型应用。
5. 优异的热性能和电气性能，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且兼容无铅焊接工艺。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路中的驱动元件。
3. 负载开关和保护电路中的关键组件。
4. 充电器、适配器以及其他消费类电子产品中的功率管理单元。
5. 工业控制和汽车电子中的高效功率转换模块。
IPB014N06L-02, IRFZ44N, FDN337N
